发布日期:2019.08.05阅读次数:702返回列表
硅谷设计8月4日消息近日据中新社报道,上海宝冶承建的国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前受电成功,终端机台的电力供给得到保证,完成芯片的量产目标指日可待。
据悉,国家存储器基地项目 位于武汉东湖高新区武汉未 来科技城。未来或将有3座全球单座面积大的3D NAND Flash FAB厂房建成。国家存储器基地建成后将青岛做网站对众多芯片产业在设青岛设计公司计、封装、制造、应用等相关环节起网站设计制作到带动作 用。
据先前曝光的消息显示,长江存储先前投资10亿元的国产3D NAND 闪存项目已获成功。今年的目 标是量产64层堆栈的3D NAND闪存,如果进展顺利的话将有可能跳过三星、美光等公司的96层堆栈闪存技术直接发展128层堆栈的闪存技术进而实现弯 道 超车。
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